石墨烯(Graphene)具有的光學(xué)、電學(xué)、力學(xué)特性，被認(rèn)為是一種未來的功能/結(jié)構(gòu)材料，在能源環(huán)境、生物醫(yī)療、電子器件、化工和航空航天等多方面具有重要的應(yīng)用。
 

　　石墨烯的生長(zhǎng)溫度一般在1000℃，非常接近銅的熔點(diǎn)，大量的銅會(huì)蒸發(fā)并沉積在石英管壁上，并不可避免地被氧化成氧化銅或氧化亞銅，會(huì)增加反應(yīng)體系中氧或水(通過氫氣或甲烷對(duì)氧化物的還原)的引入。氧對(duì)石墨烯生長(zhǎng)的作用具有多面性，一方面氧可以有效去除雜質(zhì)碳從而降低形核密度提升石墨烯質(zhì)量；另一方面氧可以在增加石墨烯形核能的同時(shí)降低其長(zhǎng)大勢(shì)壘從而加快石墨烯生長(zhǎng)的速度以得到大尺寸單晶石墨烯，同時(shí)氧的存在還對(duì)少數(shù)層石墨烯的生長(zhǎng)有一定的作用。
 

　　使用嚴(yán)重銅污染的石英管制備得到的石墨烯中的缺陷明顯高于使用干凈的新石英管制備的石墨烯。但當(dāng)優(yōu)化氫氣流量，減少反應(yīng)體系中氧(水)的引入，同樣使用銅污染的石英管，卻可以減少制備的石墨烯中缺陷濃度。他們還發(fā)現(xiàn)，當(dāng)有堆積的銅污染存在于石英管壁上，石墨烯的生長(zhǎng)速率降低，需要更高的碳源分壓和更長(zhǎng)的生長(zhǎng)時(shí)間來實(shí)現(xiàn)連續(xù)的石墨烯薄膜的制備。
 

　　我公司在上一代石墨烯制備系統(tǒng)產(chǎn)品的基礎(chǔ)上，經(jīng)過全體員工的不懈努力，終于成功研制出了新一代石墨烯制備系統(tǒng)。該套石墨烯制備系統(tǒng)可向廣大科研人員提供完整的石墨烯生長(zhǎng)系統(tǒng)，同時(shí)提供石墨烯轉(zhuǎn)移及測(cè)試的詳細(xì)解決方案。
 

　　該石墨烯制備系統(tǒng)兼容真空及常壓兩種主流的生長(zhǎng)模式，采用計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制，石墨烯制備系統(tǒng)內(nèi)置了多種制備石墨烯的生長(zhǎng)參數(shù)，用戶只需簡(jiǎn)單操作，就可以輕松的制備出高質(zhì)量的石墨烯。采用該系統(tǒng)，可以制備出毫米尺寸的石墨烯大單晶，也可以制備出數(shù)十厘米尺寸的石墨烯連續(xù)薄膜，還能生長(zhǎng)13C同位素石墨烯。將為科研人員提供大量的研究機(jī)會(huì)，也為我們實(shí)現(xiàn)各種科學(xué)構(gòu)想創(chuàng)造了可能的條件。
 

　　綜上，詳細(xì)解說了石墨烯的制備原理以及制備系統(tǒng)的諸多優(yōu)勢(shì)，希望對(duì)大家了解這個(gè)系統(tǒng)有所幫助。